晶体生长的晶体生长的数值模拟

2025-03-31 15:15:43

推荐回答（1个）

回答1：

大尺寸晶体生长的制备，特别适用于高科技应用，如DRAMs、集成电路的半导体，单晶或多晶晶元的太阳能电池，LED照明的宝石基底等等。一般来说，直拉法（又称Cz法，Czochralski法）生产用于IC和太阳能电池的单晶硅；悬浮区熔法（Fz法：Floating Zone）生产高纯度的单晶硅；定向凝固法（DS法、VB法等）多用于生产用于太阳能电池上的多晶硅。以上几种工艺通过建立数值模型，利用有效的仿真工具来完成拉晶过程中对单晶炉、晶体的热场、力学性能、几何结构的预测，最终实现对生成晶体质量的评估。
晶体生长领域学者比利时鲁汶大学的François Dupret教授，90年代于《J. of Heat and Mass Transfer》上发表了一篇文章：Global modelling of heat transfer in crystal growth furnaces ，详细阐述了如何建立一个晶体生长炉中全局的热传控制模型，并验证了这一全局模型的准确性。