我想你是问多发射极晶体管的电流特性
我用74系列的TTL与非门来解释，它采用多发射极的设计，所以当输入为低电平时，输入电流实际就是发射极电流Ie，而由于采用多发射极，假设用了两个发射极，那么它的每一个输入端上的输入电流实际为Ie/2，无论有多少个发射极，总电流不变，仍为Ie。
当输入为高电平时，此时三极管倒置工作，输出低电平，而输入端会产生漏电流，此时就要注意了，每一个输入端都要算一个漏电流，此处容易产生错误。
多发射极晶体管一般用作为TTL电路中的第一个管子，它有两种重要的作用：
（1）提高电路速度：因为当电路由开态转变为关态时，多发射极晶体管即首先进入过饱和状态，然后才驱使其后面的晶体管截止，故多发射极晶体管具有抽出它后面的晶体管基区中过量存储电荷的作用，多个发射极，这种抽出作用更大，从而可提高电路的开关速度，这也是TTL电路开关速度较高的一个重要原因。
（2）提高集成度：因为一个多发射极晶体管实际上也就起着几个晶体管的作用（用以实现与非门的功能），所以在高速集成电路中，有利于提高集成度。
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