NPN三极管击穿是什么原因

看来基础不轧实的人还是很多,可气的是不懂装懂还要来教别人,楼上有一位竟然说反向3v还会击穿发射结,真是误人子弟,罪不可恕.
无论npn还是pnp,都是由二个类似于二极管组成的,此二个二极管正向电压都是0.7v,用指针万用表*1-*100都行,正向在中间,因表电池1.5v,反向不通,发射结与集电结区别在于反向击穿电压,*10k档量,一面通一面不通是集电结,一面通一面在中间就是发射结,因为一般集电结反压都在20v(即管子的耐压)以上不等,而发射结反压全都是7-8v之间,而表电池10k档一般为15v,也有9v12v的,但都能反向击穿发射结,不用担心反向击穿会使之损坏,1ma以内的电流是不会造成永久损坏的,专业检测仪也是这样的,事实上发射结反接也是一个不错的稳压管,利用损坏的三极管的也行,最大电流=最大功耗除以8v,如小功率管一般是100mw,除以8v为12.5ma,实际上用在一半以内,3-6ma,所以你说的反向加3v是完全不导通的,你第二句话是错的,正向才是0.7v,加正向3v串5.1k(没有5k这规格)在发射结上{(3v-0.7v)/5.1k=0.43ma}得到的永远是它固有的0.7v,只有在它超过了集电极最大电流(ie=ib+ic,ib很小,忽略)才会损坏,还有,觉得你对"反向击穿电压"理解有问题,既然加了3v正压,怎么还问有无超过反向击穿电压?哪来的反压?别乱用"反向击穿"这句,事实上电路中这概念用得很少很少,而常用的是正向压降和耐压.
这么说明白吗?不懂再来.

三极管的击穿是指三极管的PN结不能产生压降限制电流的现象。击穿时PN结的温度上升，如果还没有破坏PN结的结构，则造成击穿的条件去除后，PN结的功能能够得到恢复或部分恢复，就可认为不是硬击穿或称为软击穿。若温度上升太高，PN结的结构完全破坏，击穿的条件去除后，PN结的功能就不能得到恢复，这种击穿称为硬击穿。硬击穿的三极管不能正常工作，通常说烧坏了，需要更换。出现软击穿的三极管，性能也已经下降很多，一般也应该进行更换，但应急情况下还可暂时坚持工作，只是随时都可能变成硬击穿而完全不能工作。
软击穿。最典型的例子就是稳压二极管。它就是工作在二极管反向击穿状态的，只要你设定的工作电流没有超过稳压二极管的允许工作电流，则稳压二极管就不会损坏。就晶体管特性而言，晶体管发射极的击穿电压，是比较低的。引起发射极击穿的原因，只有负偏压较高这一种。对NPN型管来讲，当晶体管处于放大工作时，晶体管的发射极-基极之间，应该是正偏（基极电位高于发射极），如果出现基极电位比发射极低，我们就会认为，此晶体管“反偏了”。当这个反偏电压超过晶体管的BVebo时，晶体管的发射结就会击穿。如果这种情况出现在整机电路的工作状态，则晶体管就会很快永久失效。在失效分析中，我们通常把这类失效称为发射极击穿而引起的失效。