一半径为R的无限长均匀带电半圆柱面，电荷面密度为σ，求轴线上任意点的电场强度

解答很清楚啊，直接用高斯定理就是：圆柱面内净电荷为零所以内部电场强度为零；
圆柱外取一个图示的高斯面，包围的电荷为长度为L的圆柱面上的电荷，根据电荷面密度乘以面积等于电荷量，再用高斯定理就得到结果了。

根据对称性，可以变成一个半径为R的半圆，电荷线密度为σ*【πR】 ，求圆心的E.。

内部场强是0。

外部电场方向沿半径方向，由高斯定理得，E2πrh=2πRhσ/ε

E=Rσ/εr

沿着圆柱面轴线建立x轴，轴线的一端为坐标原点，在圆柱面上取一个面积元将这个面积元上的电荷在原点处产生的电场积分就可以。

因为是无限长半圆柱，可以看做一个半圆环处理，通过电荷与电场关系式的变形列出积分式，求积分最后得：(2 k f)/R。

扩展资料：

如果1C的电荷在电场中的某点受到的静电力是1N，这点的电场强度就是1N/C。电场强度的另一单位是伏（特）每米，符号是V/m，它与牛每库相等，即1V/m=1N/C。

是放入电场中某点的电荷所受静电力F跟它的电荷量比值，定义式E=F/q ，适用于一切电场；其中F为电场对试探电荷的作用力，q为试探电荷的电荷量。单位N/C。 定量的实验证明，在电场的同一点，电场力的大小与试探电荷的电荷量的比值是恒定的，跟试探电荷的电荷量无关。

只与产生电场的电荷及试探电荷在电场中的具体位置有关，即比值反映电场自身的特性（此处用了比值定义法），因此我们用这一比值来表示电场强度，简称场强，通常用E表示。

参考资料来源：百度百科-电场强度