热学性能上，纳米SnO2可归于一种ATO原料，其隔热机理：
SnO2晶体具有正四面体的金红石结构，阴阳离子配位数为6∶3，每个锡离子都与6个氧离子相邻，每个氧离子都与3个锡离子相邻。在SnO2中掺入锑离子后，占据了晶格中Sn4+的位置，形成一个一价正电荷中心SbSn和一个多余的价电子，使净电子增加，形成n-type半导体，晶粒电导率增大，从而使SnO2及其掺杂得到的粉末制成膜以后在保持高可见光透过率的同时，显示出类似于金属的电导性能和高红外光反射率等优良特性。且由于ATO是一种n-type半导体，根据经典Drude理论，导电性最佳的纳米ATO粒子具备最优的红外线屏蔽性能。
何秋星等提出ATO粒子的隔热作用是基于其对红外光的吸收。黄宝元等通过较长时间的隔热效果测试和光谱性能表征，认为ATO颗粒在红外区域是以吸收为主，反射为辅。Qu等认为纳米ATO透明隔热涂层的隔热机理是当太阳辐射到达涂层表面时，大部分近红外光和极少部分可见光被吸收，因而涂层表面温度升高；同时，绝大部分可见光和极少的近红外光会透过涂层进入室内，如此在使得室内温度降低的同时仍能保持在可见光区良好的透光率。此外，由于其在远红外区域的低发射率，在以采暖为主的节气或冬季使用时，该涂层可以有效地阻止房间内的热量向外散失。
化妆品方面的应用：SnO2作为掺杂材料，利用纳米SnO2粉体的红外反射性能，结合纳米TiO2粉体吸收的紫外光的特点，掺杂有TiO2的纳米SnO2粉体，具有抗红外和抗紫外的特点，制出的化妆品更能起到保护皮肤的作用。
电学性能简述：
纳米SnO2是典型的n型半导体，其Eg=3.5eV（300K），具有比表面大、活性高、熔点低、导热性好等特点，在气敏材料、电学方面、催化剂、陶瓷及化妆品方面应用比较多。
SnO2是目前广泛应用的一种半导体气敏材料，普通SnO2粉为基体材料制成的烧结型电阻式气敏元件，对多种还原性气体具有很高的灵敏度，但器件的稳定性和一致性等方面还不令人满意。SnO2纳米粉体在陶瓷工业中可用作釉料和搪瓷乳浊剂。在电学方面，抗为静电剂显示出比其它抗静电材料较大的优越性，并且在光电显示器、透明电极、太阳能电池、液晶显示、催化等方面有很大优点。
此外，纳米二氧化锡复合材料也是目前开发的一个热点，在制备SnO2材料的过程中，通过添加少量的掺杂剂，来改善其选择性和降低电阻率。
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