有关“三极管放大时，内部载流子运动过程”的问题

1 发射区向基区发射电子
由于发射结处于正向偏置，多说载流子的扩散运动加强，发射区的多说载流子（电子）向基区扩散（称为发射），同样基区的多数载流子（空穴）也向发射区扩散，但由于发射区的电子浓度远远高于基区的空穴浓度，两者比较可忽略基区空穴向发射区的扩散。由于两个电源Eb和Ec的负极接在发射极，所以发射区向基区发射区向基区的电子都可以从电源得到补充，这样就形成了发射极电流Ie.
2 电子在基区的扩散与复合
从发射区发射到基区的电子到达基区后，由于靠近发射结附近的电子浓度高于靠近集电结附近的电子浓度，所以这些电子会向集电结附近继续扩散。在扩散的过程中，有小部分电子会与基区的空穴复合，由于电源Eb的正极与基极相连，这些复合掉的空穴均可由Eb补充，因而形成了基极电流Ib。因基区做的很薄，电子在扩散过程中通过基区的时间很短，加上基区的空穴浓度很低，所以从发射区发射到基区的电子在基区继续向集电结附近扩散的过程中，与基区空穴复合的机会很少，因而基电极的电流很小，大部分电子都能通过基区而到达集电结附近，所以集电极电流很大
仅供参考

1）e区进行高掺杂，电子浓度很高。

2）中间基区很薄(几um--几十um),且掺杂较少, 空穴浓度很低。