磁控溅射法是指电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞,电离出大量的氩离子和电子,电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响,被束缚在靠近靶面的等离子体区域内,该区域内等离子体密度很高,二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动,该电子的运动路径很长,在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材,经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低,摆脱磁力线的束缚,远离靶材,最终沉积在基片上。
这是真空溅射的一大缺点,所以真空溅射最好镀平面较好的物件,或者平衡速度。
M1在从近红光到近紫外的波段内有很高的透过率,在300nm时有吸收.它也能从熔化的状态下被蒸发,具有良好的同次性和均匀的膜厚.此物质适合于在高折射率的