静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的;动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏,需要定时给与补充,所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低,从而成本也低,适于作大容量存储器。所以主内存通常采用动态RAM,而高速缓冲存储器(Cache)则使用静态RAM。另外,内存还应用于显卡、声卡及CMOS等设备中,用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。 RAM可分为动态(Dynamic RAM)和静态(Static RAM)两大类。所谓动态随机存储器DRAM是用MOS电路和电容来作存储元件的。由于电容会放电,所以需要定时充电以维持存储内容的正确,例如互隔2ms刷新一次,因此称这为动态存储器。所谓静态随机存储器SRAM是用双极型电路或MOS电路的触发器来作存储元件的,它没有电容放电造成的刷新问题。只要有电源正常供电,触发器就能稳定地存储数据。DRAM的特点是集成密度高,主要用于大容量存储器。SRAM的特点是存取速度快,主要用于调整缓冲存储器。
动态RAM的存储单元,是一个集成在芯片内部的、体积及其微小的电容器。
写入1,即存入了电荷,电压为高电平;
写入0,即释放了电荷,电压为低电平。
动态存储器的存储密度高,相比静态的,也就是容量大。
但是,这种存储单元容易漏电,必须定时刷新,才能保证其内容稳定不变。
动态RAM具有容量大、度快的优点,随着半导体工业的发展,目前用得较多的为同步动态RAM(即SDRAM)。和静态RAM不同的是,动态RAM除了读写操作外,还需定时刷新。目前生产的SDRAM大多为大容量的芯片,因此不可能将所有地址信号通过引脚输入,通常采用行地址和列地址的方法输入,即当行选通信号有效时,在地址信号引脚上应输入行地址,当列选通信号有效时,在地址信号引脚上应输入列地址。
电容电荷