1)在设计器件时使a2较大,这样晶体管V2控制灵敏,这样GTO可以很容易关断。 2)使得a1+a2趋向与1,普通晶闸管a1+a2>=1.15,而GTO的近似为1.05,这样GTO导通时饱和程度不深,更接近与临界饱和,为门极可关断控制提供了有力条件。不利因素,导通是管压降增大了。 3)集成结构中每个GTO单元的阴极面积小,门极和阴极间的距离大为缩短,使得P2基区的横向电阻很小,使门极抽出较大的电流成为可能。 4)它比普通晶闸管开通过程快,承受的电压能力强。