1、ST打在下限位置时,市电经过R向电容C充电,此时电容C两端产生正向和反向的一连串“锯齿波”如下图。
锯齿波施加在双向晶闸管的触发极与阴极之间,使得晶闸管开通。调整电阻R数值能控制晶闸管的开通大小,也就是可以控制负载RL的发热能量。
2、ST打在上限位置时,市电无法通过R向电容C充电,因此晶闸管得不到触发信号而被迫关闭,RL上无电能通过而停止工作。
3、至于“ST在上限与下限之间的时候,电路的状态”,由于ST是一只双掷开关要么是接通下限、要么就是接通上限,没有中间状态。如果一定要考究它在上下限之间转换时的电路状态,那么只好说:无论是从下限转换到上限、还是从上限转换到下限,此过程中电路都处于停止工作的状态。
双向可控硅在下限时,ST接电源,电容充电,使双向可控硅导通,电源通过双向可控硅给RL供电进行加热. 电容因为没放电,所以能一直保持双向可控硅导通. 当温度达到上限,ST接RL给电容放电, 在交流电压回到0附近时,电流很小,导致双向可控硅断开, 此时,RL没有供电, 温度下降, 当温度下降到ST下限时,重复以上动作.
双向晶闸管的控制极正反向(从T1或T2)均可以触发导通,所以,ST不论在上限或下限位置,双向晶闸管均呈导通和半导通状态。在下限位置时,双向晶闸管控制极因受电阻R限流作用,呈半导通状态,RL两端电压约100V附近(保温状态);在上限位置时,双向晶闸管控制极最大电流通过,呈导通状态,RL两端电压约220V附近(加热状态)。