A是第三周期中的半导体材料，故A为Si元素；B元素原子L层s电子数比p电子数少1，则外围电子排布为2s22p3，故B为氮元素；C属于第二周期，原子中有2个未成对电子，则外围电子排布为2s22p2，或则外围电子排布为2s22p4，故C为碳元素或氧元素；前四周期中其未成对电子数最多，则外围电子排布为3d54s1，核外电子数为24，D为Cr元素，
（1）氮气分子中氮原子之间形成N≡N三键，含有1个σ键、2个π键，元素B的气态氢化物为NH3，分子中氮原子成3个N-H键，氮原子含有1对孤对电子，故为三角锥型，
故答案为：1；2；三角锥型；
（2）若C是固体，则C为碳元素，C-C键键长小于Si-Si键键长，故碳的单质熔点高于硅单质．若C的单质是气体，则C为氧元素，氧气与硅形成的化合物二氧化硅属于原子晶体，故答案为：高于；原子晶体；
（3）D为Cr元素，外围电子排布为3d54s1，则Cr元素基态原子的电子排布式：1s22s22p63s23p63d54s1，故答案为：1s22s22p63s23p63d54s1．
内容全部来源于网络收集，如有侵权，请联系网站删除：QQ：24596024