固态硬盘SSD的SLC与MLC和TLC三者的区别

2025-02-21 13:20:10

推荐回答（4个）

回答1：

1、具体含义不同：

SLC即Single Level Cell，速度快寿命长，价格较贵，约10万次擦写寿命。

MLC即Multi Level Cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000~10000次擦写寿命。

TLC即Trinary Level Cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。

2、硬件情况不同：

大多数U盘都是采用TCL芯片颗粒，其优点是价格便宜，不过速度一般，寿命相对较短。而SSD固态硬盘中，MLC颗粒固态硬盘是主流，其价格适中，速度与寿命相对较好，而低价SSD固态硬盘普遍采用的是TLC芯片颗粒。

扩展资料：

固态硬盘特点

1、固态硬盘和机械硬盘相比读写速度远远胜出，这也是其最主要的功能，还具有低功耗、无噪音、抗震动、低热量的特点，这些特点可以延长靠电池供电的计算机设备运转时间。

2、固态硬盘防震抗摔性传统硬盘都是磁碟型的，数据储存在磁碟扇区里。而固态硬盘是使用闪存颗粒（即mp3、U盘等存储介质）制作而成，所以SSD固态硬盘内部不存在任何机械部件。

参考资料来源：百度百科-MLC

参考资料来源：百度百科-SLC MLC

参考资料来源：百度百科-固态硬盘

回答2：

理论上最好的是slc 其次是mlc 最后是tlc
SLC、MLC和TLC
X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。
2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。
如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火，之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。
TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。
象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高，对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用SLC或MLC芯片。
2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用SLC或MLC芯片，因此这两种芯片都处于缺货状态，而TLC芯片却是持续供过于求，且将整个产业的平均价格往下拉，使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时，出现罕见的市场规模缩小情况发生，从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元，减少6.5%。
U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
目前，安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片。读写速度：采用H2testw v1.4测试，三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s，读取速度: 12.2-12.9 MByte/s。三星SLC写入速度: 8.5MByte/s，读取速度: 14.3MByte/s。
需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。
面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异
SLC 利用正、负两种电荷一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。
MLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC【容量大了一倍，寿命缩短为1/10】。
TLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20】。
闪存产品寿命越来越短，现在市场上已经有TLC闪存做的产品了
鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大
强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品
许多人对闪存的SLC和MLC区分不清。就拿目前热销的MP3随身听来说，是买SLC还是MLC闪存芯片的呢？在这里先告诉大家，如果你对容量要求不高，但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高，那么SLC闪存芯片的首选。但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多，所以目前2G以上的大容量，低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片。大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐，但是其固有的缺点，也不得不让我们考虑一番。
什么是SLC？
SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。
　　SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。
什么是MLC？
MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。
　　英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个Floating
Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。
与SLC比较MLC的优势：
签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。
与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。
与SLC比较MLC的缺点：
MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。
其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。
再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。
虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。

回答3：

具体的技术原理就不多说了，简单说说吧。
SLC的特点是寿命长，但是芯片体积大，读写速度一般，多用于企业级储存设备，不追求极速读写能力，但必须保证长寿耐用，持久稳定不出错，例如50纳米工艺的SLC，可以达到十万次写入（具体参数为网络查询的数据，如有错漏请指正），如果是128G的SLC固态硬盘，则理论上写入总量应该是128X100000=1280万GB，理论上你要往硬盘里塞这么多的数据，它才会到寿命。这个数据量大约是多少呢，你装一次WINDOWS7系统，加上驱动、常用软件之类，大约要写入50GB的数据，意味着你要装25.6万次系统，才能装坏它。如果你用它来下载蓝光，一部蓝光按30GB计算，你要下载42.6万部蓝光电影，它才会坏。

同样规格的MLC寿命比SLC要低（写入次数大约为SLC的十分之一），但体积可以做的更小，速度比CLS更快，关键是制造成本比SLC便宜，所以有一段时间是主流，寿命你按上面的评估计算，取1/10就是MLC的寿命了，虽然MLC寿命短了，但读写速度提升了。

同样规格的TLC的寿命更低，写入次数大约为MLC的1/3左右，是SLC的1/30左右，如果上面50纳米SLC是十万次写入，那么这个规格的TLC大约为3000次写入，128G的总写入量在38万GB左右，约等于你装7568次WIN7，约等于连续下载12800部蓝光。这个是按照50纳米工艺来计算的，如果按照现在主流的20纳米级别的工艺，大约只有1000次写入，基本上TLC厂家的质保是75TB数据，在写入75TB数据之前损坏厂家负责，超过这个数据量就过保了，当然啰超过这个数字只是没有售后而已，并不代表它会坏，因为有寿命冗余，至少还能再使用多一倍的时间是没有问题的。按照主流SSD厂家75TB保修数据来换算，大约相当于你每天工作8小时，每天写入20GB的数据，那么需要3750天才会让写入容量超出厂家的保修范围，差不多十年，所以虽然TLC寿命看起来不高，但实际上作为个人使用，完全没有任何问题。

以上，基本是基于20纳米以上规格的闪存而言，然而现在闪存越做越小，普遍的MLC都做到了15纳米，制程越小寿命越低，25纳米的MLC基本可以有5000PE写入，15纳米的MLC也就1000出头，跟TLC差不多了。所以纳米值越小的闪存，相互之间的差异越小。

回答4：

固态硬盘的SLC MLC TLC QLC有啥区别？3D NAND又是啥？

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