三极管的导通条件
1.截止区:
其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路,UBE<=UON且UCE>UBE 。此时IB=0,而iC<=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下,锗管的ICEO小于几十微安。因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0。
2.放大区:
其特征是发射结正向偏置(UBE大于发射结开启电压UON)且集电结反向偏置。对于共射电路,UBE>UON且UCE>=UBE (即UC>UB>UE)。此时的,iC几乎仅决定于IB,而与UCE无关,表现出IB 对 iC的控制作用,IC=?IB。在理想情况下,当IB按等差变化时,输出特性是一组横轴的等距离平行线。(简单的说对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件.)
3.饱和区:
其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路,UBE>UON且 UCE
对于NPN型三极管,一般的处于放大区的条件是Uc>Ub>Ue,并且Ub和Ue之间的电压差要大于发射结的初始导通电压。虽然放大区也有很小一块区域是Uc<Ub,但那已经极其接近饱和区了(当然饱和也是一种导通状态),一般工作在放大状态下的三极管在设计上不使它进入那个区域。
对于PNP型三极管,情况正好相反,处于放大区的条件是Uc<Ub<Ue,Ub和Ue之间的电压差同样要大于发射结的初始导通电压。
Uc>Ub>Ue,这样比较靠谱。
对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件.
要想使管子饱和导通,则应该(NPN型)Ub>Ue,Ub>Uc;(PNP型)Ue>Ub,Uc>Ub.
开关可以使用1300系列三极管,当信号用放大可以8050,8550三级管....
I=(3E)/(3r)=E/r,电流为逆时针方向根据霍尔效应UAB=Ir-E=0UAC=E-Ir=0故UB=UA=UC=0